3D NAND的堆叠大战正在如火如荼地进行。如果说几家世界闪存大厂，如三星、美光、东芝、西数、SK海力士当时推向商场的干流产品是64层(或72层)3D NAND，那么下一年就将跨入96层。

　　在近来举办的世界存储研讨会2018(IMW 2018)上，运用材料公司猜测，到2020年，3D存储堆叠能够做到120层乃至更高，2021年能够到达140层以上。

　　除了3D堆叠之外，存储厂商也在力求经过改进数据贮存单元结构与控制器技能以添加单位存储容量，美光便于日前首先推出QLC 3D NAND，将单位存储容量进步了33%。

　　这些状况说明晰世界大厂正在加速推动3D NAND的技能演进，以便加高本身技能壁垒，摆开与竞赛者的距离。

　　存储器是我国要点开展的中心芯片之一，长江存储等国内企业亦有望于本年年末前完结小批量产。在3D NAND新产品技能进入商场之际，加速开展脚步，跟上世界技能的演进节奏十分重要。

　　跟着2017年几大世界存储厂商争相推动64层3D NAND量产，本年以来相关产品现已开端很多进入干流商场。

　　依据集邦咨询半导体研讨中心(DRAMeXchange)的数据，本年第一季度NAND闪存品牌厂营收季减3%;第二季度PC用固态硬盘(SSD)合约价均价跌落3%～11%。而接连两个季度价格跌落的首要原因，一方面是因为商场仍处于小幅供过于求的状况，另一方面则是因为大多数SSD供货商为促销最新一代的64/72层3D SSD新品，降价志愿进步。

　　在NAND闪存贬价的行情下，具有本钱优势成为存储厂商场竞赛的要害。有音讯称，三星开端量产64层3D NAND，并运用新平泽工厂进步产值;美光推动64层3D NAND也十分顺畅;东芝、西部数据从上一年下半年开端量产64层3D NAND;SK海力士跟着72层3D NAND产能及良率进步，估计本年其搭载72层3D NAND的企业级SSD出货比重将明显进步。

　　除了扩展64/72层3D NAND出产比重，存储厂也在推动下一代技能的开发与量产。有音讯称，三星将抢先在2018年年末前量产96层3D NAND，并投入128层3D NAND研制。但也有相关人士表明，因为96层3D NAND技能难度相对较大，三星或以92层作为过渡技能。

　　东芝与西部数据此前从前宣告96层3D NAND已完结研制，并多次扩展Fab6工厂的出资金额，为96层3D NAND的量产做准备。

　　英特尔和美光曾表明，第三代3D NAND技能(96层)的开发将于2018年年末或2019年年头交给，估计英特尔和美光96层3D NAND可在2019年下半年完结量产。

　　3D现已成为NAND闪存技能的首要开展方向，它指贮存器单元不在一个平面内，而是一个堆叠在另一层之上。

　　选用3D方法，每颗芯片的贮存容量能够明显添加，而不用添加芯片面积或许缩小单元，运用3D NAND能够完结更大的结构和单元空隙。这有利于添加产品的耐用性，下降出产本钱。3D堆叠现已成为NAND厂商间的首要竞赛方向。

　　QLC固态硬盘加速进入商场改进数据贮存单元结构及控制器技能，以添加单位存储容量，下降出产本钱，是NAND闪存的另一个开展方向。

　　5月，美光科技首先推出业界首款选用QLC四比特单元存储技能的固态硬盘，并表明现已开端供货。

　　依据美光发布的产品数据，其新推出的5210 ION固态硬盘，选用了64层3D QLC NAND与QLC架构，相较于TLC架构容量更大，使得单颗芯片容量可高达1Tb。

　　现在，存储单元的结构类型分为以下几种：SLC、MLC、TLC、QLC。QLC四比特单元(每个Cell单元贮存4个数据)，本钱更低，容量更大，但寿数更短(理论上可擦写150次)，将使企业下降出产本钱，取得高竞赛力。

　　IDC研讨副总裁Jeff Janukowicz表明，QLC企业级SATA固态硬盘供给了一种经济实惠的方法，将企业运用程序迁移到闪存，并且有时机扩展企业级闪存的潜在商场。

　　实际上，不仅是美光，为了下降NAND闪存的出产本钱，进步产品竞赛力，三星、东芝、西部数据等公司都在加速QLC 3D DAND的开发。

　　2017年7月，东芝与西部数据就发布了选用BiCS4技能的QLC闪存，中心容量768Gb。依据东芝与西部数据的介绍，选用BiCS4技能的96层3D NAND已完结研制，初期用来制作3D TLC闪存，单颗芯片容量256Gb，而在良品率足够高之后，会转向更高容量的3D TLC，并终究制作3D QLC，容量可达1Tb。

　　此外，三星也在开展QLC NAND芯片，将会在第五代NAND技能上完结这一方针。

　　我国存储需跟上世界技能演进节奏无论是3D堆叠仍是QLC的推出，这些状况均说明晰跟着3D NAND技能走向实用化，世界厂商正在加速推动技能进步。

　　3D NAND不同于依据微缩技能的平面闪存，3D存储器的要害技能是薄膜和刻蚀工艺，技能工艺不同较大，并且相对2D NAND来说，世界大厂在3D存储器布局方面走得并不远。

　　从现在的状况来看，世界厂商们也知道到了这个问题，正在纷繁加大技能研制的力度，以期抢夺新时期的高点;一起添加产能与量产上的投入，力求与对手摆开距离。

　　现在，我国投入3D NAND的企业，以长江存储为主，现在项目发展的速度也很快。

　　依据发布的材料，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，预期分为三个阶段，将建造三座3D NAND厂。2017年9月，一期厂房提早封顶;11月，成功开宣布32层3D NAND芯片;2018年4月11日，出产设备正式出场装置。

　　紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国表明，武汉长江存储基地将募资800亿元，金额现已全数到位，本年可进入小规模量产，下一年进入128Gb的3D NAND 64层技能的研制。

　　紫光集团全球履行副总裁暨长江存储履行董事长高启全则发表，长江存储的3D NAND闪存现已取得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。回来搜狐，检查更多